企业简介
峨嵋半导体材料研究所 main business:半导体材料、高（超）纯金属及其化合物、机械设备的研究、试制、销售、技术咨询；经营自产产品及技术的出口业务和所需要机械设备、零配件、原材料及进口业务。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动） and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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峨嵋半导体材料研究所的工商信息
- 511181000032173
- 9151118162110104XB
- 存续（在营、开业、在册）
- 全民所有制
- 1999年10月10日
- 叶李强
- 7000.000000
- 2006年11月16日 至 永久
- 峨眉山市市场和质量监督管理局
- 2016年01月25日
- 峨眉山市符北路88号
- 半导体材料、高（超）纯金属及其化合物、机械设备的研究、试制、销售、技术咨询；经营自产产品及技术的出口业务和所需要机械设备、零配件、原材料及进口业务。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
峨嵋半导体材料研究所的域名
| 类型 | 名称 | 网址 |
| 网站 | 峨嵋半导体材料研究所 | http://www.emb739.com/ |
峨嵋半导体材料研究所的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN205967387U | 一种高纯铟的铸锭装置 | 2017.02.22 | 本实用新型公开了一种高纯铟的铸锭装置，所述铸锭装置包括安装架、加热炉、石英坩埚、模具单元和控制单元， |
| 2 | CN104313686B | 一种硫化镉气相合成方法 | 2017.01.11 | 本发明公开了一种硫化镉气相合成方法，包括如下步骤：第一步，将纯度≥6N的硫和镉按照1.1‑1.3:1 |
| 3 | CN104388697B | 一种制备6N高纯铝的方法 | 2016.02.24 | 本发明属于材料制备领域，具体为真空挥发法和区域熔炼法制备6N高纯铝的方法。该方法为：将原料铝在真空煅 |
| 4 | CN104355304B | 一种5N高纯碳粉制备工艺 | 2016.02.24 | 本发明属于材料制备领域，具体为一种5N高纯碳粉制备工艺。该工艺以纯度为3N的工业碳粉为原料，然后依次 |
| 5 | CN105060336A | 硫化镉气相合成装置 | 2015.11.18 | 本发明公开了一种硫化镉气相合成装置，所述硫化镉气相合成装置包括彼此连通的镉蒸发管、硫蒸发管和合成管， |
| 6 | CN101525764B | 一种真空区熔高阻硅单晶的制备方法 | 2010.12.08 | 本发明公开了一种真空区熔高阻硅单晶的制备方法，依序包括多晶硅提纯与硅单晶成晶两大工艺，其中，多晶硅提 |
| 7 | CN204255077U | 一种锑还原炉 | 2015.04.08 | 本实用新型公开了一种锑还原炉，包括石英管、电阻炉和带观察孔的还原炉炉壳，电阻炉置于还原炉炉壳内，石英 |
| 8 | CN102899712B | 超高纯砷单晶体片的制备方法 | 2015.03.04 | 本发明公开了一种超高纯砷单晶体片的制备方法，包括如下步骤：（1）石英管表面处理（2）超高纯砷脱氧封装 |
| 9 | CN104388697A | 一种制备6N高纯铝的方法 | 2015.03.04 | 本发明属于材料制备领域，具体为真空挥发法和区域熔炼法制备6N高纯铝的方法。该方法为：将原料铝在真空煅 |
| 10 | CN104355304A | 一种5N高纯碳粉制备工艺 | 2015.02.18 | 本发明属于材料制备领域，具体为一种5N高纯碳粉制备工艺。该工艺以纯度为3N的工业碳粉为原料，然后依次 |
| 11 | CN102828204B | 电解法制备电极用针状银的方法 | 2015.02.11 | 本发明公开了一种电解法制备电极用针状银的方法，该方法包括如下步骤：1）硝酸银制备、2）配制电解液、3 |
| 12 | CN104313686A | 一种硫化镉气相合成方法 | 2015.01.28 | 本发明公开了一种硫化镉气相合成方法，包括如下步骤：第一步，将纯度≥6N的硫和镉按照1.1-1.3:1 |
| 13 | CN102992286B | 高纯磷化锌的制备方法 | 2014.08.06 | 本发明公开了一种高纯磷化锌的制备方法,包括如下步骤：1）石英管预处理，2）配料，3）封管，4）高温合 |
| 14 | CN102490278B | 线切割晶体激光仪定向切割方法 | 2014.07.16 | 本发明公开了一种线切割晶体激光仪定向切割方法，属于晶体加工领域，步骤依次包括：A）将激光定向仪Y轴方 |
| 15 | CN102490277B | 线切割晶体作图定向切割法 | 2014.05.28 | 本发明公开了一种线切割晶体作图定向切割法,属于晶体加工领域，步骤依次包括：通过X射线衍射仪分别测出两 |
| 16 | CN102490279B | 线切割晶体X射线衍射定向切割方法 | 2014.05.28 | 本发明公开了一种线切割晶体X射线衍射定向切割方法,属于晶体加工领域，依次包括以下步骤：旋转安放在X射 |
| 17 | CN102320083B | 工件定位粘合装置 | 2014.03.26 | 本发明公开了一种工件定位粘合装置，包括工件连接件与切割垫块粘合装置和工件垫块与工件粘合装置，所述工件 |
| 18 | CN102992286A | 高纯磷化锌的制备方法 | 2013.03.27 | 本发明公开了一种高纯磷化锌的制备方法，包括如下步骤：1）石英管预处理，2）配料，3）封管，4）高温合 |
| 19 | CN101787559B | 一种真空气氛下制备高阻区熔硅单晶的加热线圈装置 | 2012.07.04 | 本发明公开了一种真空气氛下制备直径40mm以上的高阻区熔硅单晶的加热线圈及其配套装置，其中，一种多匝 |
| 20 | CN101798704B | 18英寸热场生长Φ8〞太阳能级直拉硅单晶工艺 | 2012.05.23 | 本发明公开了一种18英寸热场生长Φ8″太阳能级直拉硅单晶工艺，采用18英寸热屏热场和带冷却系统的上轴 |
| 21 | CN101844229B | 高纯锑粒的制备方法及生产设备 | 2012.05.23 | 本发明公开了一种高纯锑粒的制备方法，步骤包括加热、加料、滴料、锑粒处理；本发明还公开了一种高纯锑粒的 |
| 22 | CN101863475B | 多晶硅氢气气氛下还原炉启动方法 | 2012.05.23 | 本发明公开了一种多晶硅还原炉启动方法，涉及多晶硅的氢气气氛下还原炉的启动方法，目的是解决现有多晶硅氢 |
| 23 | CN101928841B | 一种超纯铅的区熔制备工艺 | 2011.10.26 | 本发明公开了一种超纯铅的区熔制备工艺，主要步骤为：将纯度5N的铅料装入石英舟内并放入区熔料管内，在保 |
| 24 | CN101734630B | 一种高纯碲化镉的制备方法 | 2011.07.20 | 本发明公开了一种高纯碲化镉的制备方法，反应过程发生在镉和碲的熔点以上的涂碳处理后的密闭石英管内，其中 |
| 25 | CN102012461A | 一种高阻硅的电阻率测试方法 | 2011.04.13 | 本发明公开了一种高阻硅的电阻率测试方法，属于电阻率测试领域。该电阻率测试方法引进了高精密电阻率测试系 |
| 26 | CN201788109U | 氯硅烷气体取样装置 | 2011.04.06 | 本实用新型公开了一种氯硅烷气体取样装置，包括封闭的取样桶、固定在桶内的进样管和出样管、固定在桶外的针 |
| 27 | CN201785199U | 一种多晶硅氢气气氛下还原炉的电路 | 2011.04.06 | 本实用新型公开了一种多晶硅氢气还原炉的电路，涉及所述还原炉的启动电路，目的在于解决现有多晶硅氢气气氛 |
| 28 | CN201785200U | 多晶硅还原炉进料喷嘴 | 2011.04.06 | 本实用新型公开了一种多晶硅还原炉进料喷嘴，连接在还原炉底盘的进料口处，所述进料喷嘴上部为喷嘴段，下部 |
| 29 | CN201722157U | 一种四氯化硅氢化炉 | 2011.01.26 | 本实用新型公开了一种四氯化硅氢化炉，包括炉体(6)和底盘(2)，炉体(6)的壳体夹层间通冷却水，冷却 |
| 30 | CN201694843U | 一种黄磷氯化无水进料装置 | 2011.01.05 | 本实用新型公开了一种黄磷氯化无水进料装置，包括位于氯化釜进料侧的石英管、石英管左侧的熔料器、两端分别 |
| 31 | CN101928841A | 一种超纯铅的区熔制备工艺 | 2010.12.29 | 本发明公开了一种超纯铅的区熔制备工艺,主要步骤为：将纯度5N的铅料装入石英舟内并放入区熔料管内，在保 |
| 32 | CN101863475A | 多晶硅氢气气氛下还原炉启动方法 | 2010.10.20 | 本发明公开了一种多晶硅还原炉启动方法，涉及多晶硅的氢气气氛下还原炉的启动方法，目的是解决现有多晶硅氢 |
| 33 | CN101845667A | 一种高阻硅单晶的制备方法 | 2010.09.29 | 本发明公开了一种高阻硅单晶的制备方法，包括多晶硅区熔掺杂、真空提纯、真空成晶三大工艺，采用本发明方法 |
| 34 | CN101844229A | 高纯锑粒的制备方法及生产设备 | 2010.09.29 | 本发明公开了一种高纯锑粒的制备方法,步骤包括加热、加料、滴料、锑粒处理；本发明还公开了一种高纯锑粒的 |
| 35 | CN101798704A | 18英寸热场生长Φ8″太阳能级直拉硅单晶工艺 | 2010.08.11 | 本发明公开了一种18英寸热场生长Φ8″太阳能级直拉硅单晶工艺，采用18英寸热屏热场和带冷却系统的上轴 |
| 36 | CN101787559A | 一种真空气氛下制备高阻区熔硅单晶的加热线圈装置 | 2010.07.28 | 本发明公开了一种真空气氛下制备直径40mm以上的高阻区熔硅单晶的加热线圈及其配套装置，其中，一种多匝 |
| 37 | CN101734630A | 一种高纯碲化镉的制备方法 | 2010.06.16 | 本发明公开了一种高纯碲化镉的制备方法，反应过程发生在镉和碲的熔点以上的涂碳处理后的密闭石英管内，其中 |
| 38 | CN101525764A | 一种真空区熔高阻硅单晶的制备方法 | 2009.09.09 | 本发明公开了一种真空区熔高阻硅单晶的制备方法，依序包括多晶硅提纯与硅单晶成晶两大工艺，其中，多晶硅提 |
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